1995年3月  特瑞仕半导体有限公司成立 （总社登记地址 日本冈山）
开办东京总社办事处
1996年11月  特瑞仕半导体(新加坡)有限公司成立 (出资比率81%)
1997年3月  特瑞仕器件(TOREX DEVICE)有限公司成立
2000年4月  增资到 3.1亿日元
2000年9月  特瑞仕美国有限公司成立 (100%子公司)
2001年3月  特瑞仕半导体欧洲有限公司成立 (100%子公司)
2002年5月  特瑞仕半导体(新加坡)有限公司转变为100%子公司
2002年8月  办事处迁移到现在地址 东京中央区
2002年10月  开办关西办事处 (地址 大阪茨木市)
2003年3月  东京办事处取得ISO14001认证
2003年5月  开办上海办事处
2004年2月  资本增加至3.6亿日元
2004年6月  特瑞仕芯电子(上海)有限公司成立 (100%子公司)
2005年12月  开办台北台湾办事处
2005年12月  开办关东西办事处 (地址 东京立川市)
2006年3月  总社登记地址迁移至东京
2006年3月  关西办事处迁移至大阪定川区
2006年10月　  与特瑞仕器件(TOREX DEVICE)有限公司合并
合并后,DVE有限公司转变为100%子公司
2007年2月  特瑞仕（香港）有限公司成立
2007年4月  台湾特瑞仕半导体股份有限公司成立
2007年4月  TOS器件(TOS DEVICE)有限公司成立
2007年10月  增资到9.8亿日元
2008年8月  取得ISO9001认证
2008年9月  开办东京技术中心 (地址 东京都中央区)
2009年4月  出资成立 VIETNAM SEIBI SEMICONDUCTOR CO.,LTD (本公司出资比为10％)
2009年11月  增讲既有资本80％使 VIETNAM SEIBI SEMICONDUCTOR CO.,LTD成为公司之子公司
(本公司出资比为90％)
2010年5月  封VIETNAM SEIBI SEMICONDUCTOR CO.,LTD增资(本公司出资比为92.5％)